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SiR414DP
Vishay Siliconix
TYPICAL CHARACTERISTICS 25 °C, unless otherwise noted
70
2.0
V GS = 10 V thru 3 V
56
1.5
42
2 8
14
1.0
0.5
T C = 25 °C
T C = 125 °C
0
0.0
T C = - 55 °C
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
0.0
0.6
1.2
1. 8
2.4
3.0
0.0030
0.0025
0.0020
V DS - Drain-to-So u rce V oltage ( V )
Output Characteristics
V GS = 4.5 V
V GS = 10 V
6000
4500
3000
V GS - Gate-to-So u rce V oltage ( V )
Transfer Characteristics
C iss
1500
C oss
0.0015
0
C rss
0
10
20
30
40
50
60
0
6
12
1 8
24
30
10
I D - Drain C u rrent (A)
On-Resistance vs. Drain Current
I D = 20 A
2.0
I D = 20 A
V DS - Drain-to-So u rce V oltage ( V )
Capacitance
8
V DS = 20 V
1.7
V GS = 10 V
6
4
2
0
V DS = 24 V
1.4
1.1
0. 8
0.5
V GS = 4.5 V
0
15
30
45
60
75
90
- 50
- 25
0
25
50
75
100
125
150
Q g - Total Gate Charge (nC)
Gate Charge
Document Number: 64727
S09-0319-Rev. A, 02-Mar-09
T J - J u nction Temperat u re (°C)
On-Resistance vs. Junction Temperature
www.vishay.com
3
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